3.4 Защита от повышенных напряжений (Overvoltage Protection)

В англоязычной технической литературе и спецификациях электронных компонентов широко используемая терминология к всплескам перенапряжения включает такие понятия, как Surge и Transient. Surge — это краткосрочное (Transient) увеличение напряжения или тока с различными формой импульсов, их амплитудой и продолжительностью.

Защита от напряжений включает в себя не только случаи повышенных напряжений в результате неисправности, но и кратковременные импульсы (Surges), случайные и скоротечные всплески напряжений (Transient Voltages) в процессе перехода схемы или изделия из одного стационарного состояния в другое, а также вследствие воздействия ударов молнии (Lightning Strikes) или статического электричества (ESD — Electrostatic Discharge).

Эти всплески напряжения (Surges, Transients, Overvoltage Spikes) достигают амплитуд десятков киловольт и могут причинить повреждения электронным изделиям, вплоть до их физического разрушения. Современные технологии с уменьшенной геометрией микросхем (32 нм и менее) делают их еще более уязвимыми к электрическим стрессам.

РАЗРЯД СТАТИЧЕСКОГО ЭЛЕКТРИЧЕСТВА
Electrostatic Discharge (ESD)

Слово Electrostatic (электростатика) определяет статическое электричество, накапливаемое определенными материалами при их контакте между собой (рис. 3.8).

ESD (электростатический разряд) — внезапный и кратковременный ток, возникающий из-за перехода заряда между двумя объектами с различным электрическим потенциалом, и вызывающий серьезные неисправности электронных изделий.

Электростатический разряд происходит не только в случаях контакта человека со статически заряженным материалом. Оборудование и мебель (например, лабораторные столы) могут также аккумулировать статическое электричество и разряжаться при контакте с ними электронных компонентов. ESD может вызвать повреждения в компонентах и изделиях из-за серьезных всплесков напряжения в процессе разряда, который может происходить не только через прямой контакт, но и сквозь воздушный промежуток.

Рис. 3.8

Величина электростатического разряда зависит от материалов и окружающей среды, включая влажность воздуха. Статическое электричество сильно зависит от влажности и лучше сохраняется на поверхностях в условиях сухого воздуха, т. е. при очень низкой влажности. На рис. 3.9 показана диаграмма зависимости статического электричества (пик напряжения в киловольтах) от влажности окружающей среды, где наглядно видно, что чем ниже влажность, тем выше накопленное статическое электричество.

Рис. 3.9

Таблица 3.4, приведенная ниже, содержит несколько типичных величин напряжения электростатических зарядов при различных материалах на рабочих местах и в зависимости от относительной влажности помещения.

Табл. 3.4

Источник статического электричества	Напряжение статического заряда, кВ
	20% RH	80% RH
Ходьба по полу с виниловым покрытием	12	0.25
Ходьба по синтетическому ковру	35	1.50
Рабочее кресло с синтетическим материалом	18	1.50
Пластиковый пакет на рабочем столе	20	0.60

Внезапный разряд статического электричества не наносит какой-либо вред человеку, но может оказаться разрушающим для P-N-перехода или эмиттер-базы полупроводникового компонента, нарушить металлизацию внутренних соединений и способствовать скрытым дефектам, которые не могут быть обнаружены. Какое-то время продолжится нормальное функционирование компонента, но существенно увеличится подверженность компонента к отказам в будущем. Механизм создания таких дефектов имеет тепловую природу при условиях, когда температура указанных переходов при воздействии импульса энергии ESD повышается до температуры плавления.

Во избежание указанных последствий принимаются особые меры предосторожности при обращении с компонентами, чувствительными к воздействию ESD, а также всевозможные защитные меры на производствах, связанных со всеми этапами изготовления, тестирования, упаковки, хранения и транспортировки электронных изделий. На рис. 3.10 изображено рабочее место с мерами предосторожности от электростатического разряда, включающие покрытие стола материалом, рассеивающим статическое электричество, его качественное заземление, антистатическое покрытие пола и обязательное использование ESD защитного браслета работниками.

Рис. 3.10

В процессе электростатического разряда пик тока может достичь амплитуды до 45 А со временем достижения максимального тока менее 1 нс, а возникшие в результате высокие электрические и магнитные поля генерируются как вторичный эффект.

Особое внимание должно быть уделено правильному обращению с чувствительными компонентами ESDS (Electrostatic Discharge Sensitive) и их хранению в специальной антистатической упаковке. Кстати, по установившейся практике, все такие компоненты транспортируются от изготовителя в контейнерах из проводящих материалов.

Для полупроводниковых компонентов используется также термин EOS (Electrical Overstress — электрическое перенапряжение), описывающий случаи, когда электронный компонент подвержен воздействию тока или напряжения с их значениями, выходящими за пределы, указанные в спецификации компонента.

ESD и EOS могут произойти как в процессе изготовления изделия и его сборки, из-за плохого заземления или несоблюдения необходимых требований к защите, так и при транспортировке и применении изделий при воздействии внешних факторов, создающих кратковременные, но достаточно мощные всплески напряжения, а следовательно, и тока.
В подобных случаях любая интегральная схема находится в состоянии чрезмерного нагрева, способствующего возможным повреждениям компонента. Такие повреждения, заметные иногда и невооруженным глазом, нередко приводят к неисправностям компонентов или изделий и прекращению их функционирования.

Основное отличие между событиями ESD и EOS состоит в их продолжительности. Воздействия ESD, с напряжениями в пределах от 500 до 8000 В, длятся, как правило, не более 300 нс, и токи могут в пике достигать многих ампер, однако с учетом их кратковременности правильная защита от ESD может шунтировать энергию электростатического разряда на заземление без каких-либо повреждений. Воздействия же EOS при аналогичных уровнях тока и напряжения длятся значительно дольше, обычно от одной миллисекунды до нескольких секунд, что вызывает дополнительные трудности для защиты.

ТЕСТОВЫЕ МОДЕЛИ ДЛЯ ПРОВЕРКИ ЗАЩИТЫ ОТ ESD
ESD Test Models

Различные технологии интегральных схем и их конкретные применения имеют различные уровни иммунитета к электрическим стрессам ESD и EOS. Современные полупроводниковые изделия, как правило, содержат ту или иную схематику защиты от ESD. При этом требуется классификация изделий по их чувствительности к воздействию ESD, и, чтобы подтвердить эффективность защиты и требования надежности в соответствии с международными стандартами IEC и JEDEC, необходимо выполнение ESD-тестов для проверки и надлежащей квалификации компонентов и изделий.

Стандарты (в частности, JEDEC JESD22 и IEC 61000-4-6) определяют статическое электричество, аккумулируемое человеком и машинами (станки, механизмы, аппараты), и устанавливают три основные модели ESD-тестирования:

• Human Body Model (HBM) — модель, свойственная человеческому телу;
• Machine Model (MM) — модель разряда от машин и оборудования;
• Charged Device Model (CDM) — модель разряда заряженного изделия.

Чувствительность изделия к воздействию ESD устанавливается по параметру наиболее высокого тестового напряжения, которое изделием выдерживается, и по параметру наименьшего напряжения, приводящего к отказам.

HBM-тест (табл. 3.5) — наиболее распространенная модель ESD-тестов, и используется, чтобы охарактеризовать подверженность электронного компонента ESD-повреждениям. Тест симулирует электрический разряд на электронный компонент от человека в результате его касания компонента. Тест предусматривает использование генератора высокого напряжения последовательно с резистором 1 МОм и конденсатором 100 пФ (рис. 3.11). На рис. 3.12 изображен импульс тока в 1.4–1.5 А, когда конденсатор переключается и начинает разряжаться с последующим затуханием до нуля примерно через 500 нс.

Рис. 3.11

Рис. 3.12

Табл. 3.5. Классификация иммунитета к ESD. Модель, свойственная человеческому телу (HBM)

Категория	Диапазон напряжений
0	<250 В (не выдерживает пульс ESD 250 В)
1A	250 В до <500 В (выдерживает 250 В и отказ при 500 В)
1B	500 В до <1000 В (выдерживает 500 В и отказ при 1000 В)
1C	1000 В до <2000 В (выдерживает 1000 В и отказ при 2000 В)
2	2000 В до <4000 В (выдерживает 2000 В и отказ при 4000 В)
3A	4000 В до <8000 В (выдерживает 4000 В и отказ при 8000 В)
3B	>8000 В (выдерживает 8000 В или выше)

МОДЕЛЬ РАЗРЯДА ОТ МАШИН И ОБОРУДОВАНИЯ
Machine Model (MM)

MM-тесты появились впервые в 1990-х годах при широком использовании автоматизированного оборудования для изготовления электронных изделий. Это оборудование заряжается при включении и разряжается на электронный компонент при контакте с ним.

Модель ММ (табл. 3.6) разработана с целью симулировать разряд оборудования через изделие на заземление. Виды отказов при ММ-тестировании аналогичны тем, которые присутствуют при тестах HBM. Кривая характеристики тока при тестах модели ММ (рис. 3.13) содержит оба синусоидальных пика (положительного и отрицательного), затухающих экспоненциально. Ток достигает приблизительно значения ±3 А, что составляет почти четырехкратное увеличение по сравнению с амплитудой импульса тока для тестов HBM. К тому же его исчезновение занимает больше времени, и он при затухании достигает нулевого значения примерно через 900 наносекунд. Аналогичные время достижения максимального тока (~10 нс) и похожая продолжительность для HBM и ММ создают сравнимое нагревание изделия, что приводит к аналогичным механизмам отказа для обеих моделей. Таким образом, HBM-тест может гарантировать ESD-выносливость и для ММ-тестов. Обычно уровень стресса при ММ-тестах примерно в 10 раз ниже, чем у HBM. Типовое напряжение ESD защиты для HBM составляет ~2 кВ, в то время, как для MM оно ~200 В.

Рис. 3.13

Табл. 3.6. Классификация иммунитета к ESD. Модель разряда от машин и оборудования (MM)

Категория	Диапазон напряжений
M1	<100 В (не выдерживает ESD 100 В)
M2	100 В до <200В (выдерживает 100 В и отказ при 200 В)
M3	200 В до <400 В (выдерживает 200 В и отказ при 400 В)
M4	>400 В (выдерживает 400 В или выше)

Модель CDM (табл. 3.7) симулирует ESD-повреждение изделия, которое не может быть смоделировано посредством тестирования HBM. Эта модель касается изделия, заряженного непосредственно электростатическим трением (triboelectric effect) или косвенно посредством индукции с электростатическим зарядом, накопленным в корпусе изделия, и его разрядом в окружающую среду. На рис. 3.14 изображена типовая кривая характеристики тока для модели CDM. Токи при этих тестах выше, чем при HBM-тестах, так как отсутствует резистор, ограничивающий ток разряда. При тестовом напряжении 500 В время достижения максимального тока около 400 пс с током примерно 6 А, а при напряжении 1000 В пиковое значение тока достигает 12 А.

Рис. 3.14

Табл. 3.7. Классификация иммунитета к ESD. Модель разряда заряженного изделия (CDM)

Категория	Диапазон напряжений
C1	<125мВ (не выдерживает пульс ESD 125 В)
C2	125 В до <250 В (выдерживает 125 В и отказ при 250 В)
C3	250В до <500В (выдерживает 250 В и отказ при 500 В)
C4	500 В до <1000В (выдерживает 500 В и отказ при 1000 В)
C5	1000 В до <1500В (выдерживает 1000 В и отказ при 1500 В)
C6	1500 В до <2000В (выдерживает 1500 В и отказ при 2000 В)
C7	2000 В (выдерживает 2000 В)

CDM полностью отличается от HBM и ММ и между ними отсутствует какая-либо корреляция. Поэтому тесты HBM и CDM являются основными тестами для проверки ESD-устойчивости изделий и компонентов.

На рис. 3.15 изображены для сравнения кривые характеристик тока для тестовых моделей HBM, ММ и CDM, а в таблице 3.8 приведены их сходства и различия.

Рис. 3.15

Табл. 3.8. Сравнение тестов HBM, MM и CDM

Модель	HBM	MM	CDM
Уровень тестов	2 кВ, 4 кВ, 8 кВ и 15 кВ	100 В, 150 В и 200 В	250 В, 500 В, 750 В и 1000 В
Пик тока, А	1.5	±3	от 5 до 6
Длительность импульса, нс	Приблизительно 150	Приблизительно 80	Приблизительно 1
Время достижения пика тока, нс	От 2 до 10	Приблизительно 1	Менее чем 0.4 (<400 пс)

Стандарт с тестами HBM, MM и CDM устанавливает так называемую Device-Level ESD-защиту, т. е. распространяется лишь на ESD-защиту интегральных схем в процессе изготовления электронного изделия. Однако ESD-защита, предусматриваемая для стадии изготовления изделия (процесс пайки и механической сборки, тестирование, упаковка и отправка изделий потребителю) не может обеспечивать безопасную и безотказную работу изделий у их потребителей. В большинстве интегральные схемы разработаны с ограниченной внутренней ESD защитой, позволяющей им выдержать импульсы от 1 до 2 кВ в соответствии с моделью HBM. В то время как это достаточно, чтобы защитить схему в процессе монтажа печатной платы, это не гарантирует защиту схем в изделиях, отправленных их конечным пользователям. Защита изделия от стрессов ESD на стадии его функционирования в реальных условиях определяется иным стандартом IEC (International Electrotechnical Commission) — IEC 61000-4-2, который устанавливает требования к защите, определяемой как защита на системном уровне — System-Level ESD.

Для создания надежных электронных изделий их разработчики должны правильно понимать значительные различия между условиями производства при изготовлении изделия и реальными условиями, в которых изделие будет находиться у потребителей под воздействием многих внешних факторов, защита от которых является более сложной и должна быть более эффективной. Эти факторы определены понятием EMC (Electromagnetic Compatibility) и международными стандартами с требованиями по тестированию электронных изделий для подтверждения их невосприимчивости к стрессам электромагнитного происхождения, т. е. способности выдерживать без неисправностей возможные стрессы повышенного напряжения в реальных условиях функционирования.

Стандарты IEC 61000-4-X устанавливают требования по иммунитету изделий к трем типам возможных стрессов:

• IEC 61000-4-2 — Electrostatic Discharge (ESD);
• IEC 61000-4-4 — Electrical Fast Transients (EFT);
• IEC 61000-4-5 — Surge Immunity.

Данные стандарты помогают разработчикам электронных изделий снизить риск неудачного проектирования из-за проблем, которые должны решаться уже в самой начальной стадии дизайна.

IEC 61000-4-2

Этот стандарт на системном уровне копирует тестирование разряда от человека, но уже в реальных условиях, чтобы гарантировать нормальное функционирование изделия, его обслуживание и текущий ремонт в предположении, что пользователь не будет предпринимать какие-либо меры предосторожности, чтобы снизить ESD-стрессы.

Данный стандарт определяет четыре уровня ESD защиты. Уровень тестирования 1 является наиболее облегченным, а уровень 4 — наиболее суровым.

Уровень тестирования конкретного изделия должен быть выбран в соответствии с реальными условиями окружающей среды, в которых изделие находится. Уровни 1 и 2 применяются к изделиям, устанавливаемым в контролируемой окружающей обстановке с антистатическими материалами. Уровни 3 и 4 используются для изделий, находящихся в более сложных условиях, где случаи появления всплесков высокого напряжения наиболее распространены.

Стандарт устанавливает два различных метода тестов: ESD-разряд непосредственно через прямой контакт с тестируемым изделием (Contact Discharge) или разряд через воздушный промежуток (Air Discharge) в случаях, когда тестирование разряда через контакт невозможно. При таком тесте щуп симулятора ESD, имитирующего разряд, приближается к изделию до тех пор, пока не возникнет разряд по воздуху. Разряд через контакт осуществляется к проводящим поверхностям (например, к разъемам), а воздушный разряд — к изолированным местам блоков системы. При этом стандарт определяет для каждого уровня разряда через контакт его эквивалент при тесте разряда по воздуху (табл. 3.9). Воздушный разряд обычно устанавливается на более высоком уровне по сравнению с контактным разрядом. Так, уровень 4 разряда 8 кВ через контакт является эквивалентом разряда 15 кВ по воздуху того же уровня.

Разряд по воздуху наиболее правдоподобно симулирует действительный электростатический разряд, но он не поддается повторению из-за влияния многих факторов (включая температуру, влажность, давление, близость к чувствительным схемам), поэтому разряд через контакт более предпочтителен.

Табл. 3.9. IEC 61000-4-2 — уровни тестов для разрядов через контакт и по воздуху

Разряд через контакт (Contact Discharge)		Разряд по воздуху (Air Discharge)
Уровень тестов	Напряжение теста, кВ	Уровень тестов	Напряжение теста, кВ
1	2	1	2
2	4	2	4
3	6	3	8
4	8	4	15

Рис. 3.16

На рис. 3.16 указана кривая формы сигнала при тестировании электростатического разряда с напряжением 8 кВ через контакт.

Ключевым параметром данного сигнала является очень быстрое нарастание импульса тока (менее 1 наносекунды) с короткой продолжительностью импульса около 60 наносекунд. Это равносильно импульсу с энергией в пределах десятков миллиджоулей. Тест выполняется отдельными разрядами, по меньшей мере, десятью положительными и десятью отрицательными разрядами с рекомендуемым интервалом между ними в одну секунду.

Основное различие между двумя стандартами (HBM и IEC 61000-4-2) заключается в уровне пика тока при ESD ударе (ESD strike). Как видно из таблицы 3.10, пик тока, разряжаемого при HBM-тесте 8 кВ, меньше, чем пик тока при тесте 2 кВ в соответствии со стандартом IEC 61000-4-2, а при тесте 8 кВ (общепринятом требовании к тестам ESD на системном уровне) пик тока в 30 ампер значительно выше того значения, которое может выдержать большинство полупроводниковых схем.

Табл. 3.10. Сравнение максимальных токов при тестах HBM и IEC 61000-4-2

Импульсы напряжения, кВ	Пик тока, А
	HBM	IEC 61000-4-2
2	1.33	7.5
4	2.67	15.0
6	4.00	22.5
8	5.33	30.0

Правильный дизайн электронных изделий, отвечающих требованиям ESD-защиты в соответствии со стандартом IEC 61000-4-2, представляет немало трудностей для инженеров-разработчиков. При проектировании электронных изделий и систем существует множество факторов, влияющих на соответствие стандарту и успешное тестирование: размер и количество слоев печатных плат, содержащих чувствительные полупроводниковые компоненты, длина и ширина трасс проводников, интерфейс и типы разъемов, методика заземления, включение в состав изделия компонентов зашиты и их конкретное расположение.

Необходимо особо подчеркнуть, что рассмотренный стандарт IEC 61000-4-2 распространяется на System-Level-тестирование лишь для ESD-защиты.

IEC 61000-4-4
Electrical Fast Transient/Burst (EFT)

EFT — кратковременный выброс повышенного напряжения. Burst — пакет импульсов напряжения.

EFT выражается в короткой вспышке энергии от внезапных и повторяющихся импульсов, возникающих от резкого переключения индуктивных нагрузок, а также от искрения контактов реле и переключателей.

Указанный стандарт рассматривает угрозы EFT как для линий питания, так и для линий передачи данных, и устанавливает методы тестирования для проверки устойчивости схем и изделий к воздействию EFT. EFT характеризуется в стандарте напряжением на нагрузке в 50 Ом в виде пакета высоковольтных импульсов с напряжением до 4 кВ и частотой повторения от 2 до 5 кГц.

Каждый одиночный импульс определяется дважды экспоненциальной кривой (см. рис. 3.17а) со временем нарастания сигнала 5 нс и общей продолжительностью до половинного значения в 50 нс.

Длина пакетов определяется продолжительностью 15 мс (см. рис. 3.17б) с их повторением каждые 300 мс (см. рис. 3.17в).

В таблице 3.11 указаны тестовые напряжения (кВ) и пики тока (А) для открытых цепей и цепей короткого замыкания при различных тестах для линий питания и линий передачи данных.

Табл. 3.11. IEC 61000-4-4. Тестовые напряжения (кВ) и пики тока (А) для открытых цепей и цепей короткого замыкания

Уровень тестов	Линии питания		Линии передачи данных
	Пик напряжения открытой цепи, кВ	Пик тока короткого замыкания, А	Пик напряжения открытой цепи,0кВ	Пик тока короткого замыкания, А
1	0.5	10	0.25	5
2	1	20	0.5	10
3	2	40	1	20
4	4	80	2	40

Рис. 3.17

В таблице 3.12 приведено сравнение основных характеристик ESD и EFT.

Табл. 3.12. Сравнение основных характеристик при воздействии ESD и EFT

Основные характеристики	ESD	EFT
Максимальное напряжение импульсов	До 15 кВ	До 4 кВ
Энергия	<10 мДж	<300 мДж
Характер импульсов	Одиночный импульс	Повторяющиеся импульсы и их пакеты
Длительность переднего фронта импульса	<1 нс	~5 нс
Источники стрессов	Накопление статического электричества	Переключение индуктивных нагрузок
Спектр частот	~1 ГГц	~100 МГц

IEC 61000-4-5
Surge Immunity

Требования к тестам защиты от молний (Lightning). Этот стандарт с дополнительным названием Surge Immunity устанавливает наиболее суровый тест по току и продолжительности импульсов как для линий питания, так и для линий передачи данных. Он симулирует всплески напряжения от прямых ударов молнии, индуцированные напряжения и токи от косвенных ударов молнии, а также от переключения мощных источников питания, включая изменения нагрузок и короткие замыкания.

Стандарт IEC 61000-4-5 определяет не только форму и параметры импульсов напряжения, но и условия установки и размещения защищаемого оборудования, содержащего чаще всего телекоммуникационные системы и устройства.

Две формы импульсов установлены данным стандартом, и они определены как импульсы генератора для напряжения в открытой цепи и токов короткого замыкания: 1.2/50 мкс с напряжением для открытой цепи до 4 кВ и 8/20 мкс для токов в цепях короткого замыкания (см. рис. 3.18).

Рис. 3.18

Рассмотренные выше стрессы ESD и EFT имеют сравнительно похожие время подъема импульса, его длительность и уровни энергии. При импульсе с фронтом 1.2 мкс и ширине в 50 мкс его энергия обладает уровнем на 3–4 порядка выше, чем энергия импульсов ESD и EFT.

Кроме того, в отличие от остальных IEC-стандартов для ESD и EFT данный стандарт устанавливает уровень тестов по их «суровости» в зависимости от класса условий окружающей среды (installation class) и определяет следующую шестиуровневую классификацию:

• Класс 0: хорошо защищенная среда.
• Класс 1: частично защищенная среда.
• Класс 2: хорошо разделенные кабели.
• Класс 3: кабели линий питания и сигналов, проложенные параллельно.
• Класс 4: многопроводные кабели для обоих (электронных и электрических) цепей.
• Класс 5: подключение к телекоммуникационным кабелям поблизости от воздушных линий питания (малонаселенные районы).

Среда класса 0 рассматривается как имеющая наиболее низкий уровень угроз и не содержит требований к защите от внезапных стрессов напряжения. Для всех остальных классов, как правило, требуется защита оборудования с помощью определенных компонентов.

Среда класса 5 является наиболее «суровой» и требует наивысшего тестового уровня стрессов.

Для одних и тех же условий среды, в которой размещено оборудование, имеются различия между линиями питания и линиями передачи данных. Параметр импеданса определяется разновидностью защищаемых схем и имеется три основных типа:

1. Импеданс 2 Ом для линий источника питания в дифференциальном режиме;
2. Импеданс 12 Ом для линий источника питания в синфазном режиме (между линией и заземлением);
3. Импеданс 42 Ом между сигнальными линиями и заземлением.

Таблица 3.13 суммирует уровень угроз в зависимости от класса окружающих условий.

Табл. 3.13. Максимальные значения пика тока в зависимости от класса и напряжения

Класс		1	2	3	4
Импеданс	Напряжение	500 В	1 кВ	2 Кв	4 Кв
42 Ом	Ток	12 А	24 А	48 А	96 А
12 Ом		42 А	84 А	167 А	334 А
2 Ом		250 А	500 А	1000 А	2000 А
Форма импульса	Напряжение	1.2 × 50 мкс	1.2 × 50 мкс	1.2 × 50 мкс	1.2 × 50 мкс
	Ток	8 × 20 мкс	8 × 20 мкс	8 × 20 мкс	8 × 20 мкс

Значения стрессов напряжения указаны при использовании формы импульсов 1.2/50 мкс. Соответствующие значения тока рассчитаны путем деления напряжения открытой цепи на импеданс защищаемой схемы. Значения токов короткого замыкания более применимы при выборе компонентов защиты. Уровни стресса при коротком замыкании определены с использованием формы импульсов 8/20 мкс.

Для телекоммуникационного оборудования, например для симметричных линий телефонной станции, напряжение открытой цепи определяется в соответствии с формой импульсов 10/700 мкс, а для токов короткого замыкания — формой 5/320 мкс.

Наилучшим решением для защиты схем в линиях передачи данных является использование описанных ниже TVS-диодов благодаря их высокому быстродействию и превосходным характеристикам блокировочного напряжения.

Каждый из трех упомянутых стандартов устанавливает источники стрессов напряжения, уровни опасности и тестовые методы, а также степень восприимчивости, которая должна быть принята во внимание для оптимального выбора компонентов защиты и создания более надежных электронных изделий.

Результаты тестов иммунитета к стрессам классифицируются четырьмя категориями:

• Критерий функционирования A — исправная работа в соответствии со спецификацией.
• Критерий функционирования B — временное ухудшение характеристик, восстанавливаемое самостоятельно.
• Критерий функционирования C — временное ухудшение характеристик, требующее вмешательства оператора.
• Критерий функционирования D — невосстанавливаемое прекращение исправной работы.